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临时键合有哪些方法

        随着半导体器件的频率持续上升,芯片厚度对器件性能具有显着影响。薄芯片具有一定的散热效率,机械性能和电气性能,具有较大的市场应用前景,以减少封装体积或减轻重量。半导体器件的背面工艺通常包括通过蚀刻 背面金属化 芯片切割步骤来减薄衬底 由于半导体晶片变薄并且机械强度弱,并且由于应力容易发生卷曲,因此晶片易碎并且不能操作;当半导体晶片的衬底被减薄到40μm或甚至更薄到20μm时,晶片随着半导体材料的厚度减小,切割的几率增加。

因此,半导体晶片需要附着机械强度的载体片以控制背面处理期间的开裂问题。目前,工业中使用的晶片键合方法通常在两个晶片之间施加键合蜡,然后,通过键合机将两个晶片键合在一起,并且在临时滑块的基础上执行后续处理,这可以提高超薄晶圆的强度。

         通常有两种分离临时粘合的晶片的方法:首先,使用溶剂从粘合的两个晶片的边缘溶解粘合蜡,第二种是使用热剪切。分离。在第一种方法中,溶解剂从晶片边缘缓慢地溶解粘结蜡,溶解剂到达晶片中心的时间太长,分离效率太低;第二种方法是在热切割过程中加热半导体材料和金属材料。膨胀和收缩系数不一致,导致晶片分离后金属附着力下降,剪切过程中晶片损坏,导致产量低。

        当半导体衬底减薄到40μm或甚至更薄时,上述两种分离方法在晶片分离后的晶片转移过程中具有非常高的解理速率,并且不适合于生产超薄芯片。而且,在晶片与载体分离后,需要经过清洗 的工艺步骤,开裂率一直是工业上的问题,严重阻碍了超薄芯片在半导体工业中的应用。

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