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光刻机一些技术原理

什么是光刻机?

掩模对准器也称为掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。一般光刻工艺在晶片表面上进行清洁和干燥。 涂抹 旋涂光刻胶 软烤 对齐曝光 后烘烤 开发 硬烘烤 蚀刻和其他过程。

光刻是指通过光制作图案(工艺)的过程;转移晶片表面然后将掩模版上的图案转移到光刻胶上的过程暂时将器件或电路结构“复制”到晶片上。在这个过程中。

光刻的目的

使表面疏水以增强基板表面与光致抗蚀剂的粘附性。

光刻机的工作原理

分析了蚀刻机和光刻机的原理和区别

上图是光刻机的简单工作原理图。下面,简要介绍图中每个设备的作用。

测量表 曝光表:带有硅片的工作台,这是本次提到的双工作台。

光束对准器:校正光束的入射方向,使激光束尽可能平行。

能量控制器:控制最终施加到硅的能量。曝光不足或过度曝光会严重影响图像质量。

光束形状设置:将光束设置为圆形 环形和其他不同形状,不同光束状态具有不同的光学特性。

着色器:当不需要曝光时,防止光束照射晶圆。

能量检测器:检测光束的最终入射能量是否满足曝光要求,并将其反馈给能量控制器进行调整。

面膜:内部采用电路设计的玻璃板,耗资数十万美元。

掩模表:承载掩模版运动的器件,运动控制精度为nm级。

物镜:物镜由20多个镜头组成。主要功能是缩小掩模上的电路图,然后缩小激光映射的硅晶片,物镜也可以补偿各种光学误差。技术难点在于物镜设计的难度和高精度要求。

晶圆:由硅晶体制成的晶圆。硅晶片有各种尺寸,尺寸越大,产量越高。偏离主题,由于硅晶片是圆形的,因此必须在硅晶片上切出间隙以确认硅晶片的坐标系。根据缺口的形状,它分为两种类型,即扁平 缺口。

内部闭合框架 减震器:将工作台与外部环境隔离,保持水平,减少外部振动干扰,并保持稳定的温度 

摄影机性能指标:光刻机的主要性能指标是:支持基板尺寸范围,分辨率 对准精度 曝光模式 光源波长 强度均匀性 生产效率等。

分辨率是描述光刻可以实现的最精细线精度的一种方式。光刻的分辨率受到光源衍射的限制,因此受光源 光刻系统 光刻胶和工艺的限制。

对准精度是多层曝光时的中间层图案的定位精度。

曝光方法分为接触式接近型 投影型和直接写入型。

曝光光源的波长分为紫外线 深紫外区域和极紫外区域,光源具有水银灯和准分子激光器。

光刻机的作用:

光刻机是微电子技术的缺点,具有最高的技术难度。 每单位最大成本 决定了集成密度。

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