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光刻机和蚀刻机区别在哪里

  近年来,光刻机和蚀刻机一直是最热门的话题。可以说,光刻机是芯片制造的灵魂,而蚀刻机是芯片制造的灵魂。要制造高端芯片,这两件事必须是一流的。

  这两个机器的最简单的解释是,光刻机将电路图投影在覆盖有光致抗蚀剂的硅片上,而蚀刻机将多余的电路图刻在刚刚绘制了硅片的硅片上。电路图这似乎并不困难。是的,但是图像有一个隐喻。每个芯片上的电路结构扩展了数倍,并且比整个北京都要复杂。这是光刻和雕刻的困难。

  光刻工艺包括在已经发生的硅晶片表面上涂覆一层光致抗蚀剂(类似于凝胶的物质,可能会受到光的腐蚀),然后使光通过(过程困难,紫外光<深紫外光<极紫外光)圆形硅表面辐射穿过掩模(类似于投影)。因为光致抗蚀剂被覆盖,所以被照射的部分被记录并且未照明的部分被留下。这部分是所需的电路结构。

  蚀刻有两种类型,一种是干法蚀刻,另一种是湿法蚀刻(主流)。顾名思义,湿法蚀刻是在加工过程中添加水。使光刻晶片与特定的化学溶液反应。其余部分是电路的结构。干雕刻尚未实现商业批量生产。原理是使用等离子体代替化学溶液来消除不必要的圆形硅部件。

  目前,中国蚀刻机和光刻机的发展是比较可惜的,而且还处于非常局部的状况:中国微电子大规模生产7纳米雕刻机已直接进入世界最受欢迎的列。无论是上海微电子的90纳米光刻机还是无锡的阴影速度200纳米光刻机,都远远没有达到世界上最先进的7纳米制程。在这两个路径中,我们还要继续再接再厉。


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