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光刻机的工作原理是什么呢?到底是怎么刻芯片?

       光刻机是半导体领域必不可少的设备,生产任何芯片都离不开光刻机。 如果说航空发动机代表着人类科学技术领域发展的掌门人水平,那么步进机具有半导体工业界最明亮的明珠、技术难度最高、单体成本最大、确定集聚密度等特点。

光刻机的工作原理

        在整个芯片制造过程中,大多数过程的实施离不开光刻机技术。 芯片制造最重要的技术,占芯片制造成本的35%以上。

在芯片制造中,晶片是不可缺少的,从二氧化硅(SiO2)矿石,例如石英砂用一系列的化学和物理熔化期的方法精制硅棒,切成圆形的单晶硅片作为晶片。

晶片是制造各种电脑芯片的基础。 我们可以把芯片制造用积木盖房子,薯可以一个接一个地摞起来,完成自各儿想要的造型。 但是,如果没有良好的基础,建造的房屋就会歪曲,与自各儿的意思相反,为了建造完美的房屋,需要平稳的基础。 在芯片制造中,这个基板是晶片。

        光刻机技术是一种精密的微加工技术。 现有的光刻技术是采用波长2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,将负性光刻胶作为中间(图像记录)介质来实现图案的转换、转印和处理,最终将图像信息传递到晶片(主要是硅晶片)或介质层的过程。

光格拉夫技术制作芯片制作必要的布线和功能区域。 简单地说,在芯片设计者设计的线路和功能区域“压印”晶片中,与通用相机摄影图片相似。 通用相机拍摄的摄影图片印在底片上,而平版格拉夫不印在摄影图片上,印在电路图和其他电子零件上。

简直就像是原本空白的大脑,正是使用光刻格拉夫技术输入命令,为了让这个大脑起作用,电路图和其他电子零件都是芯片设计者设计的命令。

       光刻机有光复制和蚀刻工艺两个主要方面

光复印工艺:通过曝光系统,在要求的位置,将预涂在掩模大板块上的老虎钳和电路图案,正确地转印到预涂在晶片表面和介质层上的负性光刻胶的薄层上。

       蚀刻工艺:利用化学或物理方法,去除未掩盖结账台石薄层的晶片表面或介电质层,得到与在晶片表面或介电质层上结账台的石薄层图案完全一致的图案。 由于IC集成电路的各功能层立体重叠,所以资源格拉夫过程总是周而复始。 例如,大规模IC集成电路经由预约1.0电路的资源格拉夫完成各层的图案的所有传输。

光复印技术是光刻机,刻蚀技术是蚀刻。根据溶纤格拉夫技术的原理,人们制造了光刻机。 通过一系列的光源能量、形状控制单元,使光束透过描绘了电路图的掩模,通过物镜补偿各种光学误差,将电路图缩小后映射到晶片上。 根据步进机的成像比率,也有5:1、4愚人节61。 然后,使用化学方法进行显影,得到刻在晶片上的电路图(即芯片)。

        一般的光刻技术必须经过硅片表面的清洗干燥、底层的涂布、负性光刻胶的大头针涂布、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光蚀刻等工序。 经过一次光刻后的芯片,可以继续涂布曝光。 芯片越复杂,电路图层数越多,需要更精密的曝光控制过程。 目前,先进的芯片在3.0层以上。

      光刻机决定了半导体电路的精度和芯片的电功耗和性能,可以说相关设备需要在材料、光学、机电等领域集成最先进的技术。

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